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J-GLOBAL ID：200902259218956667   整理番号：09A0533829

ZnOナノロッド上へのZnS成長

著者 (4件)： 小石川浩章 (神奈川大 工) ,  柚木真 (神奈川大 工) ,  佐藤知正 (神奈川大 工) ,  平手孝士 (神奈川大 工)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2009  号： エレクトロニクス2  ページ： 10  発行年： 2009年03月04日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZnSのCVD成長温度を低くしたことによりベースとなるZnOナノロッドの硫化を軽減することできた。ZnSの成長については,レーザパワーを大きくすることにより側面方向の成長速度が大きくなる傾向がわかった。今回の条件では,c軸方向への区別できるほどの成長を得ることができなかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノロッド ,  酸化亜鉛 ,  *化学蒸着 ,  硫化 ,  レーザ出力 ,  成長速度 ,  依存性
準シソーラス用語： *CVD【化学蒸着】 ,  ZnO ,  レーザパワー

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnOナノロッド ,  ZnS ,  成長