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J-GLOBAL ID：200902259281310203   整理番号：08A1183191

GaとBまたはGeを同時添加したCZ-Si結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析

Analysis of Ga segregation in CZ-Si crystal growth with B codoing or Ge codoping

著者 (3件)： 後藤頼良 (東北大 金属材料研) ,  ARIVANANDHAN Mukannan (東北大 金属材料研) ,  宇田聡 (東北大 金属材料研)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集  (結晶成長国内会議)
巻： 38th  ページ： 73  発行年： 2008年 
JST資料番号： L6730A  ISSN： 0385-6275  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Czochralski法 ,  *ケイ素 ,  ガリウム ,  ホウ素 ,  ゲルマニウム ,  ドーピング ,  *偏析 ,  解析 ,  結合エネルギー ,  歪エネルギー ,  濃度 ,  共ドーピング
準シソーラス用語： CZ法 ,  同時ドーピング ,  理論解析

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  Ge ,  Si結晶 ,  成長 ,  偏析 ,  挙動 ,  解析