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J-GLOBAL ID：200902259396068287   整理番号：08A1198518

水素ラジカルアシスト成長法で合成したスズを触媒としたシリコンナノワイヤーのキャラクタリゼーション

Characterization of Tin-catalyzed silicon nanowires synthesized by the hydrogen radical-assisted deposition method

著者 (3件)： JEON Minsung (Dep. of Electronic and Information Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...) ,  UCHIYAMA Hisashi (Dep. of Electronic and Information Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...) ,  KAMISAKO Koichi (Dep. of Electronic and Information Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 63  号： 2  ページ： 246-248  発行年： 2009年01月31日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スズを触媒としたシリコンナノワイヤー(SiNWs)を水素ラジカルアシスト成長法を用いて,水素ガス流量を変えて合成した。様々な結晶相の大量のSiNWsが合成され,それらの特性を評価した。スズをキャップしたSiNWsは真っ直ぐに成長し,それらの構造は水素ガス流量の増加により変化した。水素ガス流量の増加により,それらの底側の直径は約50から200nmへ増加し,それらの長さは~2μmまで伸びた。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  水素 ,  ラジカル ,  スズ ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *結晶成長 ,  金属触媒 ,  *VLS成長 ,  状態図
準シソーラス用語： *水素ラジカルアシスト成長法

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素ラジカル ,  アシスト ,  成長 ,  スズ ,  触媒 ,  シリコンナノワイヤー ,  キャラクタリゼーション