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J-GLOBAL ID：200902259635579868   整理番号：05A1003525

AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程

Lateral Tunneling Transport in Sub micron Gates on AlGaN/GaN HFETs

著者 (4件)： 小谷淳二 ,  葛西誠也 ,  長谷川英機 ,  橋詰保
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105  号： 325(ED2005 118-138)  ページ： 67-70  発行年： 2005年10月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HFETにおける表面準位の影響を明らかに...

シソーラス用語： *窒化物 ,...
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムガリウム ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  横方向 ,  トンネル ,  輸送過程