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J-GLOBAL ID：200902259898883944   整理番号：03A0569314

カーボンナノチューブを用いたバリスティック電界効果トランジスタ

Ballistic carbon nanotube field-effect transistors.

著者 (5件)： JAVEY A (Stanford Univ., California, USA) ,  GUO J (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  WANG Q (Stanford Univ., California, USA) ,  LUNDSTROM M (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  DAI H (Stanford Univ., California, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 424  号： 6949  ページ： 654-657  発行年： 2003年08月07日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでに作製された単一壁カーボンナノチューブを用いた電界効...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： バリスティックFET

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分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブ ,  バリ ,  スティック ,  電界効果トランジスタ