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J-GLOBAL ID：200902259901520378   整理番号：09A0374427

真空ナノエレクトロニクスの現状と展望

Recent progress in vacuum nanoelectronics.

著者 (1件)： 三村秀典 (静岡大 電子工研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 78  号： 4  ページ： 301-307  発行年： 2009年04月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子の走行媒体としての真空は,固体に比べて数々の利点を有している。一方,固体(半導体)技術は,従来の熱電子源の性能を超える微小な電子源の開発を可能にした。真空ナノエレクトロニクスは,微細加工技術・薄膜技術を駆使して,微小な真空デバイスを製作し,従来の真空や半導体デバイスの性能に勝る,応用デバイスの開発を目的とする,真空と固体の融合学術分野である。本稿では,真空ナノエレクトロニクスの基盤技術である,微小電子源の現状をデバイス応用の観点から記述する。また応用デバイスの現状と今後の展望についても述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： 電子技術 ,  *電子源 ,  *電子銃 ,  *電界放出 ,  カーボンナノチューブ ,  ホットエレクトロン ,  X線管 ,  マイクロ波管 ,  液晶ディスプレイ ,  電気伝導 ,  真空技術 ,  表面伝導
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス

分類 (1件)： 電子源,イオン源  (BD02020U)

引用文献 (45件)：

• 1) C. Spindt : J. Appl. Phys. 39, 3504 (1968).
• 2) C.Spindt,C.Holland,P.Schwoebel and I.Brodie: J.Vac.Sci. Technol. B 14, 1986 (1996).
• 3) R. Greene, H. Gray and G. Campisi : Tech. Digest Inter. Electron Dice Meeting, 172 (1985).
• 4) R. Meyer, A. Ghis, P. Rambaud and F. Muller : Proc. Japan Display'86, 513 (1986).
• 5) 横尾邦義: 電子情報通信学会技術報告ED98-259,15(1999).

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空 ,  ナノエレクトロニクス ,  現状 ,  展望