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J-GLOBAL ID：200902260077070390   整理番号：05A0959052

単一層カーボンナノチューブトランジスタのバンド構造,フォノン散乱および性能限界

Band Structure, Phonon Scattering, and the Performance Limit of Single-Walled Carbon Nanotube Transistors

著者 (5件)： ZHOU Xinjian (Cornell Univ., New York, USA) ,  PARK Ji-Yong (Ajou Univ., Suwon, KOR) ,  HUANG Shaoming (Duke Univ., North Carolina, USA) ,  LIU Jie (Duke Univ., North Carolina, USA) ,  MCEUEN Paul L. (Cornell Univ., New York, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 95  号： 14  ページ： 146805.1-146805.4  発行年： 2005年09月30日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 内在的な輸送特性を探査するため,良好な接点を有する標記ナノチ...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： 音響フォノン

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分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単一層 ,  カーボンナノチューブ ,  トランジスタ ,  バンド構造 ,  フォノン散乱 ,  限界