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J-GLOBAL ID：200902260258089654   整理番号：09A1196285

有機電場効果トランジスタの信頼性

Reliability of Organic Field-Effect Transistors

著者 (2件)： SIRRINGHAUS Henning (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SIRRINGHAUS Henning (Plastic Logic Ltd., Cambridge, GBR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 21  号： 38/39  ページ： 3859-3873  発行年： 2009年10月19日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： OFETの信頼性,特にバイアスストレス条件下の劣化について研究の現状を総説した。電圧,繰返実験,ゲート誘電体,環境条件,光照射,接触抵抗などの要因について,外部条件としての酸化および湿度,内部条件としての有機薄膜の構造および電子的乱れについて述べた。微視的欠陥による電荷トラッピングの役割について説明した。A.序論 B.p型OFETにおける負のゲートバイアスストレス効果の現象論 C.外部要因の役割 D.正のゲートバイアスストレスの閾値電圧シフト E.ゲート誘電体およびソース-ドレイン電極の影響 F.有機半導体のトラップ準位の微視的理解 G.結論。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *信頼性解析 ,  劣化 ,  依存性 ,  ストレス ,  試験 ,  実験 ,  酸化膜 ,  光照射 ,  接触抵抗 ,  酸化 ,  湿度 ,  *高分子薄膜 ,  表面構造 ,  欠陥 ,  電荷 ,  捕獲 ,  電圧 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電極 ,  有機半導体 ,  光伝導 ,  エネルギー準位 ,  キャリア捕獲 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： キャリヤトラップ ,  ゲート誘電体 ,  バイアス依存性 ,  繰返し実験 ,  電荷トラップ ,  閾値電圧 ,  *OFET

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電場効果トランジスタ