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J-GLOBAL ID：200902260783744515   整理番号：04A0369300

GaNナノワイヤ・トランジスタのUV及び偏光UV照射条件下での光伝導

Photoconduction studies on GaN nanowire transistors under UV and polarized UV illumination

著者 (9件)： HAN S (Univ. Southern California, CA, USA) ,  JIN W (Univ. Southern California, CA, USA) ,  ZHANG D (Univ. Southern California, CA, USA) ,  TANG T (Univ. Southern California, CA, USA) ,  LI C (Univ. Southern California, CA, USA) ,  LIU X (Univ. Southern California, CA, USA) ,  LIU Z (Univ. Southern California, CA, USA) ,  LEI B (Univ. Southern California, CA, USA) ,  ZHOU C (Univ. Southern California, CA, USA)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 389  号： 1/3  ページ： 176-180  発行年： 2004年05月01日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNナノ構造体の光学的・電子的機能性に着目し,単結晶質ナノ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  トランジスタ ,  偏光 ,  UV照射 ,  光伝導