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J-GLOBAL ID：200902260950144240   整理番号：09A0480954

光電子放出顕微鏡法で調べたエピタキシャル少数層グラフェンの電子特性に関する層数への依存性

Dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene on the number of layers investigated by photoelectron emission microscopy

著者 (6件)： HIBINO H. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAGESHIMA H. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOTSUGI M. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  MAEDA F. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  GUO F.-Z. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  WATANABE Y. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 79  号： 12  ページ： 125437.1-125437.7  発行年： 2009年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの特性に関する研究の一環として,本研究では,エピタキシャル少数層グラフェンを6H-SiC(0001)上に成長させて,電子特性を調べた。実験には,二次電子(SE)およびC 1s光電子を用いた光電子放出電子顕微鏡法(PEEM)を使用した。その結果に基づいて,1)異なるグラフェン層数の領域を識別できたこと,2)SE放出スペクトルは,仕事関数がグラフェン層数の増加と共に増大することを示すこと,3)少数層グラフェンでの非占有状態はSE放出を促進すること,などを記した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  エピタクシー ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  六方晶系 ,  電子顕微鏡観察 ,  光電子放出 ,  二次電子放出 ,  電子スペクトル ,  *仕事関数 ,  *光電子スペクトル ,  *表面構造 ,  電子構造 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Dirac点 ,  PEEM【電顕】

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子放出 ,  顕微鏡法 ,  エピタキシャル ,  少数層グラフェン ,  電子 ,  層 ,  依存性