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J-GLOBAL ID:200902261114389684   整理番号:03A0509493

Si2H6とPH3を用いて堆積した,その場りんドープ非晶質シリコン膜の固相結晶化挙動

Solid-phase crystallization behaviors of in situ phosphorous-doped amorphous silicon films deposited using Si2H6 and PH3
著者 (4件):
資料名:
巻: 94  号:ページ: 770-773  発行年: 2003年07月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標記薄膜の固相結晶化をP濃度とアニール温度を変えて調べた。核...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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