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J-GLOBAL ID：200902261114389684   整理番号：03A0509493

Si₂H₆とPH₃を用いて堆積した,その場りんドープ非晶質シリコン膜の固相結晶化挙動

Solid-phase crystallization behaviors of in situ phosphorous-doped amorphous silicon films deposited using Si₂H₆ and PH₃

著者 (4件)： YOKOYAMA S (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  ONIZUKA H (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIZAWA Y (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  KUWANO H (Keio Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 94  号： 1  ページ： 770-773  発行年： 2003年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記薄膜の固相結晶化をP濃度とアニール温度を変えて調べた。核...

シソーラス用語： ジシラン ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si2H6 ,  PH3 ,  堆積 ,  りん ,  ドープ ,  非晶質 ,  シリコン膜 ,  固相 ,  結晶化挙動