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J-GLOBAL ID：200902261155366109   整理番号：09A0069783

InP(111)A表面を再構成するためのab-initio手法:水素原子によって不動態化された表面のダングリングボンドの役割

Ab initio approach to reconstructions of the InP(111)A surface: Role of hydrogen atoms passivating surface dangling bonds

著者 (5件)： AKIYAMA Toru (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  KONDO Tomoyuki (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  TATEMATSU Hiroaki (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  NAKAMURA Kohji (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  ITO Tomonori (Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 78  号： 20  ページ： 205318.1-205318.7  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素原子によって不動態化されたInP(111)A表面のダングリングボンドの役割を研究した。安定な再構成はPおよびHの化学ポテンシャルに依存することが分かった。即ち,Inの空格子点を含む(2×2)表面の再構成がIn-リッチな条件の下では安定であるが,P-リッチな場合にはPの三量体を含む(√3×√3)表面の再構成が安定であることが分かった。Pの三量体を含む(2×2)表面は,Inの空格子点を含む(2×2)表面とPの三量体を含む(√3×√3)表面の間に置いて安定化させられることが分かった。温度およびP₂の圧力の関数として求めた表面の相図から,Inの空格子点を含む(2×2)表面が安定な領域は,圧力に依存して450~680K以上に位置することが明らかになった。この結果は実験的に報告されている,670K,という温度域と矛盾しない。しかし,Pの三量体を含む(√3×√3)表面に関する安定温度域が290~430K以下であるという計算結果は,実験的に報告されている530Kという温度よりも低いことが分かった。水素原子によって部分的に不動態化されている表面の再構成を考慮すると,Pの三量体を含む表面の安定化温度域は200K程度高温側に移動するので,実験結果と矛盾しないことが分かった。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  表面再構成 ,  ab initio法 ,  水素 ,  不動態化 ,  *表面構造 ,  ダングリングボンド ,  化学ポテンシャル ,  空格子点 ,  三量体 ,  状態図 ,  安定化 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 温度範囲

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  再構成 ,  手法 ,  水素原子 ,  不動態化 ,  ダングリングボンド ,  役割