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J-GLOBAL ID：200902261183468014   整理番号：04A0832649

MOCVDで作製したP/Ge(100)から(111)表面のSTM,LEED研究

An STM and LEED study of MOCVD-prepared P/Ge (1 0 0) to (1 1 1) surfaces

著者 (3件)： MCMAHON W E (National Renewable Energy Lab., National Center for Photovoltaics, CO, USA) ,  KIBBLER A E (National Renewable Energy Lab., National Center for Photovoltaics, CO, USA) ,  OLSON J M (National Renewable Energy Lab., National Center for Photovoltaics, CO, USA)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 571  号： 1/3  ページ： 146-156  発行年： 2004年11月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsをGeに直接成長させると,アルシンによるGe基板の前...

シソーラス用語： *MOCVD ,...

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分類 (1件)： 固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  作製 ,  Ge ,  STM ,  LEED ,  研究