ZnO:GaおよびIn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Snの誘電関数に対するキャリア濃度効果の分光エリプソメトリーによる研究  自由キャリア吸収とバンド端吸収の分析

FUJIWARA Hiroyuki; KONDO Michio

文献

J-GLOBAL ID：200902261446957015 整理番号：05A0421748

ZnO:GaおよびIn₂O₃:Snの誘電関数に対するキャリア濃度効果の分光エリプソメトリーによる研究自由キャリア吸収とバンド端吸収の分析

Effects of carrier concentration on the dielectric function of ZnO:Ga and In₂O₃:Sn studied by spectroscopic ellipsometry: Analysis of free-carrier and band-edge absorption

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巻： 71 号： 7 ページ： 075109.1-075109.10 発行年： 2005年02月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題系の誘電関数を研究した。誘電関数はエリプソメトリー測定の...

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半導体結晶の電子構造 , 半導体の可視・紫外スペクトル

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