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J-GLOBAL ID：200902261507090559   整理番号：05A0764075

TiN及びCrN上に形成したフェムト秒レーザ誘起ナノ構造のフルエンス依存性

Fluence dependence of femtosecond-laser-induced nanostructure formed on TiN and CrN
著者 (3件)：
YASUMARU N.

YASUMARU N. について

(Fukui National Coll. of Technol., Fukui, JPN)

Fukui National Coll. of Technol., Fukui, JPN について

, 
MIYAZAKI K.

MIYAZAKI K. について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
KIUCHI J.

KIUCHI J. について

(Eyetec Co., Ltd., Fukui, JPN)

Eyetec Co., Ltd., Fukui, JPN について


資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)

Applied Physics. A. Materials Science & Processing について


巻： A81  号： 5  ページ： 933-937  発行年： 2005年10月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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TiN及びCrNの硬い薄膜上に形成されるフェムト秒レーザ誘起...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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クロム化合物

クロム化合物 について

,...
準シソーラス用語：
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レーザフルエンス

レーザフルエンス について


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分類 (3件)：
分類
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金属材料へのセラミック被覆 
(YC02050V)

金属材料へのセラミック被覆 について

,  レーザ照射・損傷 
(BK16040S)

レーザ照射・損傷 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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TiN

TiN について

, 
フェムト秒レーザ

フェムト秒レーザ について

, 
誘起

誘起 について

, 
ナノ構造

ナノ構造 について

, 
フルエンス依存性

フルエンス依存性 について


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