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J-GLOBAL ID：200902261605883010   整理番号：06A0475013

ウエット作製したSi(111):H表面上の個々のドーパント原子の走査型トンネル顕微鏡検出

Scanning tunneling microscopy detection of individual dopant atoms on wet-prepared Si(111):H surfaces

著者 (4件)： NISHIZAWA M. (MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1 Higashi ...) ,  BOLOTOV L. (MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1 Higashi ...) ,  TADA T. (MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1 Higashi ...) ,  KANAYAMA T. (MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1 Higashi ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 24  号： 1  ページ： 365-369  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NH₄F水溶液でのウエットエッチングに...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  Si ,  ドーパント ,  原子 ,  走査型トンネル顕微鏡