文献

J-GLOBAL ID：200902261805343303   整理番号：03A0310408

積層電極によるAlN薄膜の配向性の向上

著者 (6件)： 秋山守人 (産業技術総合研) ,  長尾圭吾 (宇部興産) ,  上野直広 (産業技術総合研) ,  立山博 (産業技術総合研) ,  橋本智仙 (宇部興産) ,  山田哲夫 (宇部興産)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 2  ページ： 691  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0310408&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlN ,  薄膜 ,  配向性