文献

J-GLOBAL ID：200902262195596146   整理番号：05A0373443

立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜の電子状態と電界効果トランジスター特性

著者 (5件)： 星野聡 (産業技術総合研) ,  吉田学 (産業技術総合研) ,  植村聖 (産業技術総合研) ,  小笹健仁 (産業技術総合研) ,  鎌田俊英 (産業技術総合研)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan)
巻： 2005  号： 2  ページ： 2.S9(24)-2.S9(27)  発行年： 2005年03月17日 
JST資料番号： S0653A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *高分子薄膜 ,...
準シソーラス用語： 動作特性 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0373443&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0653A") }}

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  高分子の立体構造  (CG02031G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 立体規則性 ,  ポリアルキルチオフェン ,  薄膜 ,  電子状態 ,  電界効果トランジスター