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J-GLOBAL ID：200902262303706913   整理番号：05A0645765

MOSデバイスにおけるけい素-酸化物界面でのサブ酸化物インターレーヤの電子的および誘電的性質

Electronic and dielectric properties of a suboxide interlayer at the silicon-oxide interface in MOS devices

著者 (4件)： GIUSTINO Feliciano (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Theoretical Physics, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  GIUSTINO Feliciano (Inst. Romand de Rech. Numerique en Physique des Materiaux (IRRMA), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  PASQUARELLO Alfredo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Theoretical Physics, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  PASQUARELLO Alfredo (Inst. Romand de Rech. Numerique en Physique des Materiaux (IRRMA), CH-1015 Lausanne, CHE)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 586  号： 1-3  ページ： 183-191  発行年： 2005年07月20日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上の超薄酸化物層の電子構造と誘電率を調べた...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOSデバイス ,  けい素 ,  酸化物 ,  界面 ,  サブ ,  電子 ,  誘電的性質