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J-GLOBAL ID：200902262511616243   整理番号：08A0995858

100Gb/sでの非常に高速なSiGe-バイポーラ集積回路のセルベース設計における取組み

Challenges in the Cell-Based Design of Very-High-Speed SiGe-Bipolar ICs at 100Gb/s

著者 (2件)： MOELLER Michael (Saarland Univ., Saarbruecken, DEU) ,  MOELLER Michael (Micram Microelectronic GmbH, Bochum, DEU)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 43  号： 9  ページ： 1877-1888  発行年： 2008年09月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100Gb/s以上のデータ速度で動作する,より高度に集積したSiGe-バイポーラ回路を効果的に設計するためのセルベース設計の概念を提案した。まず,100Gb/sのデータ速度と50GHzのクロック周波数で動作する50セル以上の高速集積回路(IC)を,トランジスターレベルではなくセルレベルでそれぞれ効果的に設計し,セル間にはTMLルーティングを適用した。当セルベースの設計は,トランジスターレベルでの個別な設計と比較し,同じ半導体技術の利用時の消費電力や高速性について劣るが,100Gb/sを越えた動作速度でマルチプルな高度なセルカウントコンポーネントを効果的に設計できるので,より優れたアプローチである。

シソーラス用語： *バイポーラ集積回路 ,  分波器 ,  インピーダンス整合 ,  低雑音増幅器 ,  位相雑音 ,  *回路設計 ,  トランジスタ ,  経路選定 ,  通信操作
準シソーラス用語： LNA ,  デマルチプレクサ ,  波長ルーティング

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiGe ,  バイポーラ集積回路 ,  セル ,  設計