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J-GLOBAL ID：200902262579736204   整理番号：08A0565281

サファイア上とSrTiO₃上の磁気電気Cr₂O₃薄膜の結晶成長

Crystal Growth of Magnetoelectric Cr₂O₃ Thin Film on Sapphire and SrTiO₃

著者 (4件)： ASADA Takeshi (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  NAGASE Kenjirou (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  IWATA Nobuyuki (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroshi (Nihon Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 1 Issue 2  ページ： 546-549  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 代表的な磁気電気(ME)材料Cr₂O₃膜をRカットサファイア(R-Al₂O₃)およびSrTiO₃(STO)基板上に,ペロブスカイト酸化物電子素子にそれらを応用する目的で作成した。Cr₂O₃薄膜はDC-RFハイブリッドマグネトロンスパッタリングシステムを使い,様々な基板温度で蒸着した。R-Al₂O₃基板温度が550°Cのとき,Braggピーク(n,n,0,2n)が観測された。ロッキングカーブの半値全幅(FWHM)はT_s=550°Cで0.52°の最も小さい値になった。Cr₂O₃の結晶粒サイズは400-600°C領域で基板温度と共に大きくなった。矩形Cr₂O₃粒子の長さは[1101]方向が200-600nmの範囲,[1120]方向が100-300nmの範囲であった。さらにCr₂O₃膜は,CeO₂バッファ層があるSrTiO₃(100)上に蒸着した。平均粗さ(R_s)=0.41nmの滑らかなCeO₂バッファ層上に蒸着したCr₂O₃薄膜はc軸方位を示し,さらに,Cr₂O₃(0001)/CeO₂(100)∥STO(100)結晶関係が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ロッキングカーブ ,  サファイア ,  チタン酸ストロンチウム ,  *酸化クロム ,  誘電体薄膜 ,  磁気電気効果 ,  酸化アルミニウム ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  基板温度 ,  Bragg反射 ,  スペクトル線幅 ,  結晶粒度 ,  結晶形態 ,  酸化セリウム ,  蒸着膜 ,  バッファ層 ,  結晶方位 ,  反強磁性体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (7件)：

• K. Siratori, K. Kohn, and E. Kita: Acta Phys. Pol. A 81(1992)431.
• P. J. Brown, J. B. Forsyth, and F. Tasset: Solid State Sci.7(2005)682.
• H. Wiegelmann, A. G. M. Jansen, P. Wyder, J.-P. Rivera, and H. Schmid: Ferroelectrics 162(1994)141.
• M. Foebig: J. Phys. D 38(2005)123.
• M. Shirakawa, M. Miura, T. Ohazama, Y. Shingai, A. Saito, M. Mukaida, and S. Ohshima: Physica C 412-414(2004)1277.

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  磁気 ,  Cr2O3 ,  薄膜 ,  結晶成長