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J-GLOBAL ID：200902262997863816   整理番号：08A0361434

最先端デバイスを支えるキーテクノロジー Cold FE電子銃を搭載したハイエンド分析電子顕微鏡「HF-3300」

著者 (5件)： 佐藤岳志 (日立ハイテクノロジーズ 那珂アプリケーションセ) ,  今野充 (日立ハイテクノロジーズ 那珂アプリケーションセ) ,  馬見新秀一 (日立ハイテクノロジーズ) ,  松本弘昭 (日立ハイテクノロジーズ 那珂アプリケーションセ) ,  谷口佳史 (日立ハイテクノロジーズ)
資料名： 日立評論
巻： 90  号： 4  ページ： 350-353  発行年： 2008年04月01日 
JST資料番号： F0062A  ISSN： 0367-5874  CODEN： HITAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 株式会社日立ハイテクノロジーズは,ハイエンドな透過電子顕微鏡(TEM)として,高輝度と高エネルギー分解能が同時に得られるCold FE電子銃(冷陰極電界放出形電子銃)を搭載した電界放出形透過電子顕微鏡「HF-3300」を開発した。Cold FE電子銃の有する特長が新たな解析評価技術を生み,これまで電子顕微鏡では見ることができなかったものが見られるようになってきた。その結果,半導体デバイス開発や不良解析,プロセス反応の解明に至るまで,高度化する解析ニーズへの対応が可能となった。電子顕微鏡技術を用いた解析評価や材料開発分野において新境地を切りひらく,次世代の電子顕微鏡として期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *機器分析 ,  *電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体素子 ,  *半導体プロセス ,  生産設備 ,  工場設備 ,  CAM【生産】 ,  製品開発 ,  故障解析 ,  性能評価 ,  電子銃 ,  電界放出

分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• A. Tonomura: Electron Holography, Springer Series in Optical Sciences 70 (Springer Verlag, Heidelberg, 1993)
• 平山: 電子線ホログラフィーによる結晶内部電位の測定, 日本結晶学会誌, 47, 95(2005)
• K. Kimoto, et al.: Chemical Shift Mapping of Si L and K Edges Using Spatially Resolved EELS and Energy-Filtering TEM, Journal of Electron Microscopy 46, 369(1997)
• T. Sekiguchi, et al.: Nitrogen Distribution and Chemical Bonding State Analysis in Oxynitride Film by Spatially Resolved Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS), Japanese Journal of Applied Physics 37, L694(1998)
• F. Yano, et al.: Quantitative analysis of silicon oxynitride by using energy loss spectrum for Si-L edge 8th APEM, 84(2004)

タイトルに関連する用語 (7件)： 最先端 ,  キーテクノロジー ,  COLD ,  Fe ,  電子銃 ,  分析電子顕微鏡 ,  HF