表面をAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉で被覆することによるGaNに基づく発光ダイオードからの光抽出の強化

KIM Tae Ki; KIM Seung Hwan; YANG Seong Seok; YANG Seong Seok; SON Jeong Kwon; SON Jeong Kwon; LEE Keon Hwa; LEE Keon Hwa; BAE Seong Jun; SHIM Sang Kyun; SON Seong Jin; LEE Jeong Su; SHIM Kyu-Hwan; LIM Kee Young; YANG Gye Mo; YANG Gye Mo

文献

J-GLOBAL ID：200902263115844035 整理番号：09A0214388

表面をAl₂O₃粉で被覆することによるGaNに基づく発光ダイオードからの光抽出の強化

Enhancement of Light Extraction from GaN-Based Light-Emitting Diodes by Coating Surface with Al₂O₃ Powder

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資料名：
巻： 48 号： 2 ページ： 021002.1-021002.3 発行年： 2009年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Al₂O₃粉を通して内部反射した光子の抽出確率を増やすためp-GaNと半透明p-コンタクト金属表面上をAl₂O₃粉で被覆するによってGaNに基づく発光ダイオード(LED)を,製作した。~300nmの直径のAl₂O₃粉の密度は,両方の表面で,およそ1.9×10¹³cm^-2であった。p-GaN表面と半透明p-コンタクト金属表面上をAl₂O₃粉で被覆したLEDの順電圧は20mAでそれぞれ4.15と3.42Vであった。p-GaNと半透明p-コンタクト金属表面の上をAl₂O₃粉で被覆した両方のLED構造の光出力パワーはAl₂O₃粉末コーティングの無い従来のLED構造と比較してほぼ30%増えた。(翻訳著者抄録)

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発光素子

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表面をAl2O3粉で被覆することによるGaNに基づく発光ダイオードからの光抽出の強化

表面をAl₂O₃粉で被覆することによるGaNに基づく発光ダイオードからの光抽出の強化