文献

J-GLOBAL ID：200902263535920853   整理番号：08A0646195

Cs-NF₃活性化GaAs(100)負電子親和性光電陰極の光電子放出の研究

Photoemission study of Cs-NF₃ activated GaAs(100) negative electron affinity photocathodes

著者 (4件)： LIU Zhi (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Menlo Park, California 94025, USA) ,  SUN Yun (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Menlo Park, California 94025, USA) ,  PETERSON Samuel (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Menlo Park, California 94025, USA) ,  PIANETTA Piero (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Menlo Park, California 94025, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 24  ページ： 241107  発行年： 2008年06月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cs及びNF₃で活性化したGaAs系負電子親和性光電陰極を線形加速器の偏極電子源に使用した。活性層はCsFから構成されると一般に信じられている。シンクロトロン放射光電子分光法を用いてGaAs光電陰極上のCs-NF₃活性層を調べた。光子エネルギー70~820eVでF1s,N1s,その他の内殻準位を記録した。驚くべきことに,活性層中に有意な量の窒素を観測した。明確な二種類の窒素種の一方は光電陰極の収率が時間とともに減衰するに従い蛍光信号と共に減衰した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  電子親和力 ,  光電陰極 ,  *光電子放出 ,  線形加速器 ,  電子源 ,  活性層 ,  シンクロトロン放射 ,  *光電子分光法 ,  内殻準位
準シソーラス用語： 電子親和性 ,  偏極電子源

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 活性化 ,  GaAs ,  負電子親和性 ,  光電陰極 ,  光電子放出 ,  研究