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文献
J-GLOBAL ID:200902263869772383   整理番号:04A0506253

GaN量子ドット紫外LEDの作製と光学特性

GaN Quantum Dot UV-LED-Fabrication and Optical Characteristics
著者 (4件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 410-413,428  発行年: 2004年06月15日 
JST資料番号: X0335A  ISSN: 0387-0200  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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波長380nm以下の紫外発光を得るために活性層としてGaN量...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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発光素子  ,  半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 
引用文献 (22件):
  • 1) K. Bando, Y. Noguchi, K. Sakano, and Y. Shimizu: Tech. Digest, Phosphor Res. Soc., 264th Meeting, November 29 (1996). (in Japanese)
  • 2) S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4188.
  • 3) Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, and Sg. Fujita: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 981.
  • 4) T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 3976.
  • 5) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939.
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タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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