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J-GLOBAL ID：200902263940768503   整理番号：08A0920733

GaAs量子井戸における(Al,Ga)As障壁及び非平衡キャリアの捕捉における両極性拡散の陰極線ルミネセンス分光

Cathodoluminescence spectroscopy of ambipolar diffusion in (Al,Ga)As barriers and capture of nonequilibrium carriers in GaAs quantum wells

著者 (3件)： FUJIWARA K. (Kyushu Inst. of Technol., Tobata, Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  JAHN U. (Paul-Drude-Institute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  GRAHN H. T. (Paul-Drude-Institute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 10  ページ： 103504  発行年： 2008年09月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_0.3Ga_0.7As障壁において生成されたキャリアの両極性垂直拡散を,一連のGaAsベース井戸(QW)を含むシステムにおいて,陰極線ルミネセンス(CL)分光により研究した。CL線スキャンの強度分布は,そのシーケンスの初めのQWに関する単一指数関数減衰を示し,純粋な拡散律則輸送を反映した。しかしながら,第二,第三,及び第四QWのスキャンは,電子ビームと対応するQWとの間の大きな分離に対してのみ,拡散により支配された。小間隔に関して,CL強度分布は,介在QWへのキャリア捕獲により大きく影響を受けた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *障壁 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  キャリア ,  *両極性拡散 ,  *陰極線ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  電子ビーム ,  キャリア捕獲

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (11件)： GaAs ,  量子井戸 ,  Al ,  Ga ,  障壁 ,  非平衡 ,  キャリア ,  捕捉 ,  両極性拡散 ,  陰極線ルミネセンス ,  分光