高けい化マンガン(HMSs,MnSi1.74)の熱電におよぼすドーピング効果とp型(Al,GeおよびMo)ドープのHMSsとn型Mg2Si0.4Sn0.6脚を用いる熱電気発生モジュールの特性評価

AOYAMA Ikuto; KAIBE Hiromasa; RAUSCHER Lutz; KANDA Toshio; MUKOUJIMA Mika; SANO Seijiro; TSUJI Toshihide

文献

J-GLOBAL ID：200902264242987801 整理番号：05A0606067

高けい化マンガン(HMSs,MnSi_1.74)の熱電におよぼすドーピング効果とp型(Al,GeおよびMo)ドープのHMSsとn型Mg₂Si_0.4Sn_0.6脚を用いる熱電気発生モジュールの特性評価

Doping Effects on Thermoelectric Properties of Higher Manganese Silicides (HMSs, MnSi_1.74) and Characterization of Thermoelectric Generating Module using p-Type (Al, Ge and Mo)-doped HMSs and n-Type Mg₂Si_0.4Sn_0.6 Legs

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資料名：
巻： 44 号： 6A ページ： 4275-4281 発行年： 2005年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

高けい化マンガンMnSi_1.74(HM...

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半導体結晶の電気伝導

引用文献 (20件)：

1) V. K. Zaitsev, S. V. Ordin, V. I. Tarasov and M. I. Fedorov: Sov. Phys. Solid State 21 (1979) 1454.
2) O. Schwomma, A. Preisinger, H. Nowotny and A. Wittman: Monatsh. Chem. 95 (1965) 1527.
3) H. Q. Ye and S. Amelinckx: J. Solid State Chem. 61 (1986) 8.
4) H. W. Knott, M. H. Mueller and L. Heaton: Acta Crystallogr. 23 (1967) 549.
5) V. K. Zaitsev and M. I. Fedorov: Semiconductor 29 (1995) 490.

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