Si基板上の20mΩ,750V高出力AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

IWAKAMI Shinichi; MACHIDA Osamu; YANAGIHARA Masataka; EHARA Toshihiro; KANEKO Nobuo; GOTO Hirokazu; IWABUCHI Akio

文献

J-GLOBAL ID：200902264294886868 整理番号：07A0679673

Si基板上の20mΩ,750V高出力AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

20 mΩ, 750 V High-Power AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Si Substrate

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0679673&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 46 号： 20-24 ページ： L587-L589 発行年： 2007年06月25日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

低いオン抵抗と高い破壊電圧を持つAlGaN/GaNヘテロ構造...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0679673&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

トランジスタ

, , , , ,

前のページに戻る