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J-GLOBAL ID：200902264367695896   整理番号：08A0581387

注入電荷担体によるポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)中の光ルミネセンス消光の証拠

Evidence of photoluminescence quenching in poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) due to injected charge carriers

著者 (5件)： SINGH Vipul (Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku ...) ,  THAKUR Anil Kumar (Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku ...) ,  PANDEY Shyam Sudhir (Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku ...) ,  TAKASHIMA Wataru (Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku ...) ,  KANETO Keiichi (Graduate School of Life Sciences and Systems Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 2-4 Hibikino, Wakamatsu-ku ...)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 158  号： 7  ページ： 283-286  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(P3HT)の光ルミネセンススペクトルを,酸化インジウムすず(ITO)/P3HT/Al系Schottky素子内の正および逆バイアス方向で研究した。光ルミネセンス消光パターンは,ITO/P3HT/Al系では正方向でより高い消光を示し,絶縁性ポリ(4-ビニルフェノール)(PVP)薄層で予備被覆したITO/PVP/P3HT/Al系では逆方向で高い消光を示した。観測された光ルミネセンス消光の挙動について,注入電荷担体とP3HTバルク中で発生する励起子との相互作用および励起子と印加電場との相互作用に基づいて説明した。前者の消光は電場とバルク電荷担体が寄与し,後者の消光は空乏幅の増加が主因である。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *消光 ,  *高分子非線形光学材料 ,  酸化インジウムスズ ,  *高分子薄膜 ,  アルミニウム ,  Schottky障壁ダイオード ,  バイアス ,  放射効率 ,  電流電圧特性 ,  励起子 ,  キャリア ,  電荷移動 ,  光吸収 ,  スペクトル線強度 ,  電場効果 ,  電圧依存性 ,  空乏層 ,  *ポリビニルフェノール ,  絶縁膜 ,  層間絶縁

分類 (5件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  励起子  (BM02120E) ,  チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U)

物質索引 (2件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  4-ビニルフェノール

タイトルに関連する用語 (6件)： 注入 ,  電荷担体 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  光ルミネセンス ,  消光 ,  証拠