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J-GLOBAL ID：200902264613683282   整理番号：08A0790248

包接化合物超伝導体Ba₈Si₄₆およびBa₂₄Si₁₀₀でのフォノン状態密度,非調和性,電子-フォノン結合ならびに可能な多重ギャップ超伝導 大きいT_c差の背後にある因子

Phonon density of states, anharmonicity, electron-phonon coupling, and possible multigap superconductivity in the clathrate superconductors Ba₈Si₄₆ and Ba₂₄Si₁₀₀: Factors behind large difference in T_c

著者 (10件)： LORTZ Rolf (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  VIENNOIS Romain (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  PETROVIC Alexander (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  WANG Yuxing (Univ. Geneva, Geneva, CHE) ,  TOULEMONDE Pierre (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA) ,  MEINGAST Christoph (Forschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  KOZA Michael Marek (Inst. Laue-Langevin, Grenoble, FRA) ,  MUTKA Hannu (Inst. Laue-Langevin, Grenoble, FRA) ,  BOSSAK Alexei (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  SAN MIGUEL Alfonso (Univ. Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 77  号： 22  ページ： 224507.1-224507.12  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 包接化合物に関する研究の一環として,本研究では,Ba₈Si₄₆およびBa₂₄Si₁₀₀における超伝導の起源を,比熱,電気抵抗率,熱膨張,非弾性中性子散乱および非弾性X線散乱の測定によって調べた。その結果,1)両化合物は類似の構造を有すること,2)超伝導転移温度は,両者でかなり異なって,それぞれ8Kおよび1.5Kであること,が分かった。上記測定から,超伝導特性,フォノン状態密度,電子-フォノン結合,およびフォノン非調和性を抽出し,T_cを支配する因子を論じた。

シソーラス用語： *超伝導体 ,  *包接化合物 ,  ケイ素化合物 ,  バリウム化合物 ,  比熱 ,  電気抵抗率 ,  熱膨張係数 ,  非弾性散乱 ,  中性子散乱 ,  X線散乱 ,  転移温度 ,  結晶構造 ,  フォノン ,  状態密度 ,  電子-フォノン相互作用 ,  非調和振動 ,  温度依存性 ,  極低温 ,  磁化率

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 包接化合物 ,  超伝導体 ,  フォノン状態密度 ,  非調和性 ,  電子-フォノン結合 ,  多重 ,  ギャップ ,  超伝導 ,  Tc ,  因子