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J-GLOBAL ID：200902264942488725   整理番号：09A0481068

優れた線形性を有するCMOS適合性のある,高RF電力,非対称LDD MOSFET

A CMOS-Compatible, High RF Power, Asymmetric-LDD MOSFET with Excellent Linearity

著者 (7件)： CHANG T. (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KAO H.L. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  CHEN Y.J. (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU S.L. (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MCALISTER S.P. (National Res. Council of Canada, Ottawa, CAN) ,  CHIN Albert (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIN Albert (Nano-Electronics Consortium of Taiwan)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2008 Vol.1  ページ： 451-454  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiベースRF技術の問題点は低電力特性であり,その原因は低いドレイン破壊電圧にある。本稿では,高いドレイン破壊電圧を有する0.18μm非対称LDD MOSFETを調査した。標準MOSFETプロセスにより多重ゲートを用いて非対称LDD MOSFETを試作した。2.4GHzでパワー密度は0.54W/mmと64%増大した。ドレイン効率は52%で通常の素子と同程度であったが,ACPR線形性は通常のMOSFETより8dB優れていた。これはフィードバックカップリングが減少したためであった。ゲートドレイン寄生容量及びゲート抵抗が小さいために,最大周波数f_maxは115GHzであった。破壊電圧は6.9V DCであり出力電圧の変動を改善した。

シソーラス用語： 線形性 ,  *CMOS構造 ,  *電力トランジスタ ,  *LDD構造 ,  *MOSFET ,  ドレイン【半導体】 ,  半導体プロセス ,  ゲート【半導体】 ,  フィードバック ,  電力変動
準シソーラス用語： ACPR ,  パワー密度 ,  寄生容量 ,  破壊電圧

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線形性 ,  CMOS ,  適合性 ,  RF電力 ,  非対称 ,  MOSFET