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J-GLOBAL ID：200902265155425291   整理番号：08A0457504

4H-SiC(000-1)上の多層グラフェンが単一グラフェンシート様に振舞う理由

Why Multilayer Graphene on 4H-SiC(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) Behaves Like a Single Sheet of Graphene

著者 (11件)： HASS J. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  VARCHON F. (UJF, Grenoble, FRA) ,  MILLAN-OTOYA J.E. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  SPRINKLE M. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  SHARMA N. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  DE HEER W.A. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  BERGER C. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  BERGER C. (UJF, Grenoble, FRA) ,  FIRST P.N. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  MAGAUD L. (UJF, Grenoble, FRA) ,  CONRAD E.H. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 100  号： 12  ページ： 125504.1-125504.4  発行年： 2008年03月28日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCの炭素終端上に成長した多層グラフェンが,単純なAB積層黒鉛膜にならないことが分かった。グラフェンの成長は高密度の回転性欠陥を持つ成長であり,隣接シートが互いに回転している。さらに,これらの積層欠陥が隣接するグラフェンシートを分解して,そのバンド構造が孤立グラフェンのそれとほぼ同等になることが分かった。膜が多数のグラフェンシートで構成されるが,K点のDirac分散が保存されることがわかった。C面成長グラフェンにおける磁気輸送と赤外磁気透過実験が,孤立グラフェンシートのそれと類似している理由が,上記の特性に起因する可能性を指摘した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  単原子層 ,  薄膜 ,  積層欠陥 ,  バンド構造 ,  分散関係 ,  Dirac方程式 ,  エピタクシー ,  低速電子回折 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *グラフェン ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 多原子層

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  多層グラフェン ,  グラフェンシート