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J-GLOBAL ID：200902265160680518   整理番号：05A0257925

膜接着強さに対するふっ素安定性およびSiOF膜中の応力の効果

Effects of Fluorine Stability and Stress in SiOF Films on Film Adhesion

著者 (6件)： FUJII T (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  ASAI K (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  SAWADA M (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  SAKURAI K (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  KOBAYASHI K (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YONEDA M (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 152  号： 2  ページ： G152-G157  発行年： 2005年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超LSI用低誘電率誘電体層として使用されるふっ素ドープ酸化け...

シソーラス用語： *超LSI ,...
準シソーラス用語： TDS【スペクトル】 ,...

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分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  非金属化合物  (CD01070R) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： テトラエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (4件)： 接着強さ ,  ふっ素 ,  安定性 ,  応力