半導体の光吸収に対する無秩序性の影響:エピタクシー成長III-V化合物への適用

DZIATKOWSKI K.; CYWINSKI L.; BARDYSZEWSKI W.; TWARDOWSKI A.; SAITO H.; ANDO K.

文献

J-GLOBAL ID：200902265360678224 整理番号：06A0656301

半導体の光吸収に対する無秩序性の影響:エピタクシー成長III-V化合物への適用

Influence of disorder on the optical absorption in semiconductors: Application to epitaxially grown III-V compounds

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資料名：
巻： 73 号： 23 ページ： 235340.1-235340.9 発行年： 2006年06月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体の光学特性に無秩序性が及ぼす影響を,部分的に緩和したk...

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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル , 半導体の可視・紫外スペクトル , 半導体の格子欠陥

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