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J-GLOBAL ID：200902265524848924   整理番号：09A1243747

スパッタ薄膜白金上の単原子層グラフェン成長

Monolayer graphene growth on sputtered thin film platinum

著者 (4件)： KANG Byung Jin (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Sci. Road, Yuseong, Daejeon 305-701, KOR) ,  MUN Jeong Hun (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Sci. Road, Yuseong, Daejeon 305-701, KOR) ,  HWANG Chan Yong (Center for Advanced Instrumentation, Korea Res. Inst. of Standards and Sci. (KRISS), 209 Gajeong Road, Yuseong ...) ,  CHO Byung Jin (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Sci. Road, Yuseong, Daejeon 305-701, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 10  ページ： 104309  発行年： 2009年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタした薄膜白金(Pt)が金属上へのグラフェン成長に対する触媒金属として利用可能であることを実証した。スパッタしたPtは,結晶化アニーリング中に主にPt(111)方位に結晶化し,凝塊化(アグロメレーション)の痕跡がない優れた表面平坦性を示した。Pt中への炭素固溶度が比較的低いこと及び薄膜Ptの表面粗さが良好であることによって,メタン環境中で行なう炭素溶解及び析出法により,薄膜Pt/SiO₂/Si基板上の全領域に渡ってPt上に均一な単原子層グラフェンを形成することが可能である。Pt上に成長させた単原子層グラフェンはPtを単純にウェット・エッチングすることでSiO₂基板上へ移動させることができる。合成したグラフェン層のRaman分光及び走査型トンネル顕微鏡測定の結果についても報告する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *単一層 ,  熱CVD ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  スパッタ蒸着 ,  白金 ,  表面粗さ ,  固溶度 ,  均一性 ,  薄膜成長 ,  *グラフェン ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  薄膜 ,  白金 ,  単原子層 ,  グラフェン ,  成長