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J-GLOBAL ID：200902265899563765   整理番号：08A0221667

元素ZnとGe源からのZnGeN₂の合成と評価

Synthesis and characterization of ZnGeN₂ grown from elemental Zn and Ge sources

著者 (6件)： DU K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Case Western Reserve Univ., Cleveland, OH 44106, USA) ,  BEKELE C. (Dep. of Physics, Case Western Reserve Univ., Cleveland, OH 44106, USA) ,  HAYMAN C.c. (Dep. of Chemical Engineering, Case Western Reserve Univ., Cleveland, OH 44106, USA) ,  ANGUS J.c. (Dep. of Chemical Engineering, Case Western Reserve Univ., Cleveland, OH 44106, USA) ,  PIROUZ P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Case Western Reserve Univ., Cleveland, OH 44106, USA) ,  KASH K. (Dep. of Physics, Case Western Reserve Univ., Cleveland, OH 44106, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 310  号： 6  ページ： 1057-1061  発行年： 2008年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NH₃の熱クラッキングを利用して,ZnとGeから気相成長する新しい方法により,多結晶ZnGeN₂を合成した。測定した格子パラメータは,a=b=0.3157nm,c=0.5137nmとγ=119°30′をもつ単斜晶構造を示唆し,これは報告例と一致する。透過電子顕微鏡により,(001)面上のプレーナ積層欠陥を同定した。解析から,これらの積層欠陥が,それぞれ面内と面外Burgersベクトル成分,(a/3[1-10])と(c/2[001])をもつプリズム状転位ループで限られていることを示唆した。低温(~4K)光ルミネセンス分光分析から,2.6eV付近の幅広の黄色帯不純物ルミネセンスと3.40eVにピークをもつ狭い近バンド端ルミネセンスを観測した。近バンド端ルミネセンスピークは,報告例に比べて,エネルギーが50meVほど高く,その効率も2桁程度大きい。これらの結果は,従来,他の成長法で得られたものより,優れた光学品質を持つことを示唆する。近バンド端ルミネセンス効率の温度依存性は,浅いドナーに束縛された励起子模型と一致する。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化学合成 ,  *窒化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  格子定数 ,  電子顕微鏡観察 ,  *積層欠陥 ,  *光ルミネセンス

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 元素 ,  Zn ,  Ge ,  評価