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J-GLOBAL ID：200902265960897922   整理番号：04A0151011

有機金属化学蒸着によりa-面SiC上に成長させたa-面GaNの微細構造発達

Microstructural evolution of a-plane GaN grown on a-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (7件)： CRAVEN M D (Univ. California, California) ,  WU F (Univ. California, California) ,  CHAKRABORTY A (Univ. California, California) ,  IMER B (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 8  ページ： 1281-1283  発行年： 2004年02月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロエピタキシャルa-面GaN膜の形態変化と欠陥構造の拡大...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学蒸着 ,  SiC ,  成長 ,  GaN ,  微細構造 ,  発達