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J-GLOBAL ID：200902266101697187   整理番号：07A0792753

絶縁ゲートのあるInP/InGaAsホットエレクトロントランジスタ

InP/InGaAs Hot Electron Transistors with Insulated Gate

著者 (10件)： SUWA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Takashi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HINO Takahiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SAITO Hisashi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OONO Masaya (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 25-28  ページ： L617-L619  発行年： 2007年07月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のホットエレクトロントランジスタにおけるベース層の除去は...

シソーラス用語： メサ構造 ,...
準シソーラス用語： ホットエレクトロントランジスタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁 ,  ゲート ,  InP ,  InGaAs ,  ホットエレクトロントランジスタ