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J-GLOBAL ID：200902266199182430   整理番号：09A0106631

高速アナログ集積回路用のシリコンナノワイヤ電界効果型トランジスタのSPICEモデリング

Spice Modeling of Silicon Nanowire Field-Effect Transistors for High-Speed Analog Integrated Circuits

著者 (2件)： HAMEDI-HAGH Sotoudeh (San Jose State Univ., CA, USA) ,  BINDAL Ahmet (San Jose State Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 7  号： 6  ページ： 766-775  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直シリコンナノワイヤサラウンドゲートトランジスタ(SGFETs)は,ナノスケールプレーナバルクMOSFETと比べて短チャネル効果と消費電力が少ない。このため,SGFETsは次世代の低消費電力,高速超LSIの候補として期待されている。本稿では,10nmチャネル長と2nmチャネル半径を持つSGFETsの全動作領域に対する正確な完全空乏化BSIMSOI(Berkeley Short-channel IGBT Model SOI)モデルについて報告した。また,デバイス寄生エレメントの分布,高速アナログとRFアプリケーション用のこれらトランジスタの特性を測定した。ナノワイヤSGFETの三次元デバイス構造と物理モデルを提案し,同じ次元のプレーナバルクトランジスタと比較した。また,BSIMSOIモデルパラメータについて,BSIMSOIモデルとデバイスシミュレーションから得た固有デバイスの入力と出力の電流電圧特性を比較した。これらの結果から,このSGFETsは次世代超LSI技術として期待できることを示した。

シソーラス用語： アナログ集積回路 ,  *FET【トランジスタ】 ,  SPICEプログラム ,  消費電力 ,  高速化 ,  超LSI ,  *ナノワイヤ ,  *トランジスタモデル ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *BSIMSOIモデル ,  サラウンドゲート ,  シリコンナノワイヤ ,  チャネル長 ,  電界効果形トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： アナログ集積回路 ,  シリコンナノワイヤ ,  電界効果型トランジスタ ,  SPICE ,  モデリング