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J-GLOBAL ID:200902266459307771   整理番号:09A0538957

純シリカゼオライトベータ低k薄膜の合成及びキャラクタリゼーション

Synthesis and characterization of pure-silica-zeolite Beta low-k thin films
著者 (6件):
資料名:
巻: 123  号: 1-3  ページ: 45-49  発行年: 2009年07月01日 
JST資料番号: E0642C  ISSN: 1387-1811  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコンウエハ上に連続的かつち密な純シリカゼオライト(PSZ)ベータ膜を初めて調製するため全シリカTEAOH-TEOS-HF-H2Oゲル中にn-プロピルアルコールの添加による新反応混合物を示した。n-プロピルアルコールはベータナノ結晶の結晶化を促進すると同様に非常に均一な反応混合物を製造するためにも用いた。更に,二次成長法を用いることによりPSZベータ膜を非常に薄く(3.5μm)し合成時間を36時間まで更に減少させることができる。PSZベータ膜の特性評価をX線回折,走査電子顕微鏡,ICP-AES分析及び偏光解析法により行った。このPSZベータ膜は焼成後1MHzでそれぞれ2.07と0.096の超低誘電率及び誘電損失並びに45及び1.8GPaの弾性係数と硬度を示した。超低誘電率,高い熱及び機械的安定性を有するPSZベータ膜はマイクロエレクトロニクスの絶縁膜として非常に有望な低誘電率材料となると考えられる。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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吸着剤  ,  合成鉱物 
物質索引 (3件):
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