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J-GLOBAL ID：200902266548633666   整理番号：09A0776054

高圧PLD成長ZnOナノウォールと電界エミッタと紫外紫外検出器としての応用

ZnO Nanowalls Grown with High-Pressure PLD and Their Applications as Field Emitters and UV Detectors

著者 (7件)： CAO B. Q. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  CAO B. Q. (Univ. Jinan, Shandong, CHN) ,  MATSUMOTO T. (Univ. Jinan, Shandong, CHN) ,  MATSUMOTO M. (Univ. Jinan, Shandong, CHN) ,  HIGASHIHATA M. (Univ. Jinan, Shandong, CHN) ,  NAKAMURA D. (Univ. Jinan, Shandong, CHN) ,  OKADA T. (Univ. Jinan, Shandong, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 113  号： 25  ページ： 10975-10980  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高圧パルスレーザ蒸着法(PLD)により,サファイア基板上に二次元ZnOナノウォールを成長させた。X線回折,透過型電子顕微鏡観察,光ルミネセンス測定等により,ZnOナノウォールのキャラクタリゼーションを行った結果,次のことが判明した。成長温度とターゲット組成はZnOナノウォール生成の支配的因子であり,ZnOナノウォールの厚さは数十ナノメートルと数マイクロメートル規模であった。ZnOナノウォールはcカットサファイア基板上でc軸方位配列成長し,単化結晶であった。室温光ルミネセンスは強い固有近接バンドギャップ紫外発光を示し,良好な結晶品質は欠陥が関係する弱い可視発光を示した。ZnOナノウォールは低い閾値電場,大きな電界増強因子,良好な安定性を示した。ZnOナノウォール膜は高感度紫外紫外検出器として利用可能である。

シソーラス用語： 紫外検出器 ,  電極 ,  *レーザ蒸着 ,  基板 ,  蒸着膜 ,  電界放出 ,  *ナノ構造 ,  *酸化亜鉛 ,  X線回折 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶構造 ,  薄膜成長 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  光ルミネセンス ,  電流電圧特性 ,  Nd-YAGレーザ ,  表面構造 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： HRTEM ,  サファイア基板 ,  酸化物半導体 ,  電界エミッタ ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高圧 ,  PLD ,  成長 ,  ZnO ,  ナノウォール ,  電界エミッタ ,  紫外検出器 ,  応用