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J-GLOBAL ID：200902266619885998   整理番号：09A0192567

レーザ発振波長499.8nmの非極性m面InGaN多重量子井戸レーザダイオード

Nonpolar m-plane InGaN multiple quantum well laser diodes with a lasing wavelength of 499.8 nm

著者 (4件)： OKAMOTO Kuniyoshi (Res. and Dev. Headquarters, ROHM Co., Ltd., Kyoto 615-8585, JPN) ,  KASHIWAGI Junich (Res. and Dev. Headquarters, ROHM Co., Ltd., Kyoto 615-8585, JPN) ,  TANAKA Taketoshi (Res. and Dev. Headquarters, ROHM Co., Ltd., Kyoto 615-8585, JPN) ,  KUBOTA Masashi (Res. and Dev. Headquarters, ROHM Co., Ltd., Kyoto 615-8585, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 7  ページ： 071105  発行年： 2009年02月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系レーザダイオード(LD)に対して報告されている中で最長のレーザ発振波長499.8nmで連続波動作する非極性m面InGaN多重量子井戸レーザダイオードを実証した。閾値電流46mA,対応する閾値電流密度(J_th)3.1kA/cm²で最大光出力パワー15mWを得た。連続波動作下の電気入力パワー(P_in)とレーザ波長シフトの相関を前面ファセットの反射率を70%から97%に変化させたレーザダイオードを用いて調べた。70%と97%の鏡に対してそれぞれ4.56及び4.34nm/Wの傾斜でP_inを増加させるとレーザ波長が増加した。本結果は自己加熱に起因した赤方偏移が非極性GaN系レーザダイオードの緑色領域付近でもJ_thの上のバンド充填に起因した青方偏移よりも支配的であり,P_inの低下が波長安定化の向上には不可欠であることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *レーザ発振 ,  連続レーザ ,  電流 ,  電流密度 ,  反射率 ,  赤方偏移 ,  青方偏移 ,  インジウム化合物 ,  多重量子井戸 ,  *量子井戸レーザ ,  非極性 ,  加熱
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  波長シフト ,  *多重量子井戸レーザ ,  自己加熱

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ発振波長 ,  非極性 ,  InGaN ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード