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J-GLOBAL ID：200902266683154557   整理番号：09A1117796

赤外光に曝露したときInGaAs系S-Sm-S接合における負性光伝導と増大したAndreev反射との相互作用

Interplay between Negative Photoconductivity and Enhanced Andreev Reflection in InGaAs-based S-Sm-S Junctions when Exposed to Infrared Light

著者 (6件)： AKAZAKI T. (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  HASHIBA H. (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI M. (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  TSUMURA K. (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  NOMURA S. (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI H. (Nihon Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Annual Report. Institute of Quantum Science of Nihon University  (Annual Report. Institute of Quantum Science of Nihon University)
巻： 2008  ページ： 20-21  発行年： 2008年 
JST資料番号： G0377B  ISSN： 1348-625X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 赤外光 ,  曝露 ,  InGaAs ,  Sm ,  光伝導 ,  Andreev反射 ,  相互作用