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J-GLOBAL ID：200902266778443246   整理番号：08A0777081

新しい記憶効果 電気伝導率および光記憶の両者をもつスメクチック液晶メモリ

A new memory effect: smectic liquid crystalline memory having both conductive and optical memory

著者 (3件)： HARAMOTO Yuichiro (Yamanashi Univ., Kofu, JPN) ,  HIROSHIMA Kohki (Yamanashi Univ., Kofu, JPN) ,  KATO Takamasa (Yamanashi Univ., Kofu, JPN)
資料名： Liquid Crystals  (Liquid Crystals)
巻： 35  号： 6  ページ： 675-679  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： E0179C  ISSN： 0267-8292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルキル鎖長の異なる一連のα,ω-アルコキシ-トリフェニレンジビニレンオリゴマを合成した。示差走査熱量測定,偏光顕微鏡,X線回折により相挙動を調べた。いずれも昇温によりスメクチック相,ネマチック相を経由して等方性相を示す。ガラス基板上にITOアノード,PEDOT層を形成し,ネマチック相液晶層,アルミニウムカソードが積層された素子を作製し,電気伝導率を測定した。200°C熱処理後冷却した試料の電気伝導率は6~7桁増大し,スメクチック相の配向が維持されることを示した。電極による電気加熱またはレーザビームによるスポット書き込みが可能である。高温配向により分子は基板に並行に配列し,スポットの光読出しおよび電気読み出しが可能である。

シソーラス用語： *記憶効果 ,  記憶素子 ,  *光学メモリ ,  *電気伝導率 ,  *ポリフェニレンビニレン ,  オリゴマ ,  エーテル ,  化学合成 ,  示差走査熱量測定 ,  偏光顕微鏡 ,  X線回折 ,  状態図 ,  ネマチック相 ,  スメクチック相 ,  電極 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  積層構造 ,  熱処理 ,  レーザ照射 ,  分子配向 ,  アルミニウム電極
準シソーラス用語： ITO電極 ,  PEDOT ,  スメクチック液晶 ,  ネマチック液晶 ,  光メモリ

分類 (4件)： 液晶一般  (BK03010L) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

物質索引 (4件)： 1,4-ビス[2-[4-(デシルオキシ)フェニル]エテニル]ベンゼン ,  1,4-ビス[2-[4-(ウンデシルオキシ)フェニル]エテニル]ベンゼン ,  1,4-ビス[2-[4-(ドデシルオキシ)フェニル]エテニル]ベンゼン ,  1,4-ビス[2-[4-(ペンタデシルオキシ)フェニル]エテニル]ベンゼン

タイトルに関連する用語 (3件)： 記憶効果 ,  電気伝導率 ,  スメクチック液晶