Au/n-GaN Schottkyダイオードの性能に対する螺旋転位の影響に関する実験的研究とモデル化

HUANG Y; CHEN X D; FUNG S; BELING C D; LING C C

文献

J-GLOBAL ID：200902266938050416 整理番号：03A0782197

Au/n-GaN Schottkyダイオードの性能に対する螺旋転位の影響に関する実験的研究とモデル化

Experimental study and modeling of the influence of screw dislocations on the performance of Au/n-GaN Schottky diodes

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巻： 94 号： 9 ページ： 5771-5775 発行年： 2003年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOCVD法によりサファイア基板上に成長させた異なったGaN...

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半導体-金属接触 , 半導体の格子欠陥

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