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J-GLOBAL ID：200902266942738643   整理番号：09A1258752

GeドープMn₃XC(X=Al,Zn,Ga)の格子,磁気及び電子輸送挙動

Lattice, magnetic and electronic transport behaviors of Ge-doped Mn₃XC (X=Al, Zn, Ga)

著者 (6件)： WEN Yongchun (Center for Condensed Matter and Materials Physics, School of Sci., Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics ...) ,  WANG Cong (Center for Condensed Matter and Materials Physics, School of Sci., Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics ...) ,  SUN Ying (Center for Condensed Matter and Materials Physics, School of Sci., Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics ...) ,  LIU Guanxin (Center for Condensed Matter and Materials Physics, School of Sci., Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics ...) ,  NIE Man (Center for Condensed Matter and Materials Physics, School of Sci., Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics ...) ,  CHU Lihua (Center for Condensed Matter and Materials Physics, School of Sci., Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 489  号： 1  ページ： 289-292  発行年： 2010年01月07日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mn₃X_1-yGe_yC(X=Al,Zn及びGa;y=0,0.5)の格子,磁気及び電子輸送特性を調べた。Geのドーピングは反ペロブスカイト構造を変化させず,異なる程度に格子定数を減少させただけであった。すべてのMn₃X_1-yGe_yCに対して,Geのドーピングは磁気転移温度を低下させた。電気抵抗率の温度依存性におけるMn₃Al_xGe_1-xCの全体的挙動は金属的であった。Mn₃Ga_xGe_1-xCに対して,強磁性相及び反強磁性相のキャリア密度が異なるために,電気抵抗率は温度の低下と共に急激な上昇を示した。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化物 ,  *マンガン化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *ゲルマニウム ,  *ドーピング ,  格子定数 ,  磁気転移 ,  転移温度 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  キャリア密度 ,  エレクトロトランスポート ,  *輸送現象
準シソーラス用語： 磁気輸送

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  ドープ ,  Zn ,  Ga ,  格子 ,  磁気 ,  電子輸送 ,  挙動