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J-GLOBAL ID：200902267155544080   整理番号：08A0794270

機能集積イメージセンサとその応用

Smart Image Sensors and Their Applications

著者 (1件)： 川人祥二 (静岡大 電子工研)
資料名： 電気学会情報処理研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： IP-08  号： 13-25  ページ： 27-32  発行年： 2008年07月25日 
JST資料番号： Z0968A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサでは埋め込みフォトダイオードに蓄積する信号電荷検出部の寄生容量を小さくし,電荷-電圧変換利得を大きくすることで高感度化が図られている。また,アンプを共有した1.5トランジスタ/画素の画素回路によって高解像度が実現できる。本論文では,機能集積技術の応用例としてディジタルイメージセンサや,カラム集積用サイクリックADCによって実現された高速撮像について述べた。また,車載用カメラや複数の蓄積時間の信号を用いてダイナミックレンジ拡大を図る方法を説明し,集中読出しによる複数の蓄積時間信号の1フレーム内での読み出し原理BROME(Burst Readout Multiple Exposure)に基づく640×480画素広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを示した。さらに,高速電荷転送による距離検出原理を説明し,4点サンプリング法に基づいて背景光をキャンセルしながら距離画像を得るレンジファインダや,電荷排出構造を設けたCMOS TOF(Time-of-flight)レンジファインダを紹介した。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *CMOS構造 ,  画素 ,  高分解能 ,  撮像 ,  カメラ ,  ダイナミックレンジ ,  標本抽出 ,  距離画像 ,  写真カメラ ,  *CMOSイメージセンサ ,  車載カメラ ,  *MOS構造
準シソーラス用語： サンプリング【統計】 ,  ディジタルイメージセンサ ,  レンジファインダ ,  高解像度

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (22件)：

• R. M. Guidash et al., “A 0.6μm CMOS Pinned Photo Diode Color Imager Technology, ”IEDM Technical Digest, pp. 927-929, Dec.1997.
• H. Takahashi, M. Kinoshita, K Morita, T. Shirai, T. Sato, T. Kimura, H. Yuzurihara, S. Inoue,” A 3.9 μm pixel pitch VGA format 10b digital image sensor with 1.5-transistor/pixel,”Dig. Tech. Papers, Int. Solid-State Circuits Conf., pp. 108-109(2004).
• J. Prima et al., “A 3Mega-pixel back-illuminated image sensor in 1T5 architecture with 1.45um pixel pitch,”Proc. Int. Image Sensor Workshop, pp. 5-8, June 2007.
• S. H. Cho et al.,” Optoelectronic, investigation for high-performance 1.4um pixel CMOS image sensors, “Proc. IM. Image Sensor Workshop, pp. 13-15, June 2007.
• D.Yang, A. E. Gemmel, B. Fowler, H. Tian, “A 640 x512 CMOS Image Sensor with Ultrawide Dynamic Range Floating-Point Pixel-Level ADC,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol.34, no.12, pp. 1821-1999(1999).

タイトルに関連する用語 (3件)： 集積 ,  イメージセンサ ,  応用