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J-GLOBAL ID:200902267209570716   整理番号:07A0266899

二重層カルコゲナイド薄膜(Ge2Sb2Te5およびSb2Te3)を用いた相変化記録セルに関する多準位データ記憶特性

Multilevel Data Storage Characteristics of Phase Change Memory Cell with Doublelayer Chalcogenide Films (Ge2Sb2Te5 and Sb2Te3)
著者 (8件):
資料名:
巻: 46  号: 1-3  ページ: L25-L27  発行年: 2007年01月25日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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電子・磁気・光学記録  ,  半導体薄膜 
引用文献 (16件):
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