文献

J-GLOBAL ID：200902267209570716   整理番号：07A0266899

二重層カルコゲナイド薄膜(Ge₂Sb₂Te₅およびSb₂Te₃)を用いた相変化記録セルに関する多準位データ記憶特性

Multilevel Data Storage Characteristics of Phase Change Memory Cell with Doublelayer Chalcogenide Films (Ge₂Sb₂Te₅ and Sb₂Te₃)

著者 (8件)： RAO Feng (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHONG Min (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Liangcai (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  FENG Gaoming (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Bo (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  FENG Songlin (Shanghai Inst. Micro-System and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  CHEN Bomy (Silicon Storage Technol., Inc., CA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 1-3  ページ： L25-L27  発行年： 2007年01月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単原子層カルコゲナイド薄膜(Ge₂Sb...

シソーラス用語： *光ディスク ,...
準シソーラス用語： カルコゲナイドガラス ,...

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分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• LAI, S. IEDM Tech. Dig., 2000. 2000, 243
• LAI, S. IEDM Tech. Dig., 2001. 2001, 803
• OVSHINSKY, S. R. Phys. Rev. Lett. 1968, 21, 1450
• LAI, S. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 255
• ANDERSON, T. L. Acta Crystallogr., Sect. B. 1974, 30, 1307

タイトルに関連する用語 (6件)： 二重層 ,  カルコゲナイド ,  薄膜 ,  相変化 ,  セル ,  記憶特性