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J-GLOBAL ID：200902267385184539   整理番号：08A0681821

ゲルマニウムMOSFETデバイス:材料理解,プロセス開発および電気性能における進歩

Germanium MOSFET Devices: Advances in Materials Understanding, Process Development, and Electrical Performance

著者 (25件)： BRUNCO D. P. ,  DE JAEGER B. (IMEC, Leuven, BEL) ,  ENEMAN G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  ENEMAN G. (K.U. Leuven, Leuven, BEL) ,  MITARD J. (IMEC, Leuven, BEL) ,  HELLINGS G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  HELLINGS G. (K.U. Leuven, Leuven, BEL) ,  SATTA A. (IMEC, Leuven, BEL) ,  TERZIEVA V. (IMEC, Leuven, BEL) ,  SOURIAU L. (IMEC, Leuven, BEL) ,  LEYS F. E. (IMEC, Leuven, BEL) ,  POURTOIS G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  HOUSSA M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  WINDERICKX G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VRANCKEN E. (IMEC, Leuven, BEL) ,  SIONCKE S. (IMEC, Leuven, BEL) ,  OPSOMER K. (IMEC, Leuven, BEL) ,  NICHOLAS G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  CAYMAX M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  STESMANS A. (Univ. Leuven, Leuven, BEL) ,  VAN STEENBERGEN J. (IMEC, Leuven, BEL) ,  MERTENS P. W. (IMEC, Leuven, BEL) ,  MEURIS M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  HEYNS M. M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  HEYNS M. M. (K.U. Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 155  号： 7  ページ： H552-H561  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge MOSFETを実現する上での主要課題を検討し,次の知見を得た。1)Geエピ層/Si基板の貫通転位密度は800°C以上でのアニールにより1/10に減少するが,接合漏れ電流が半分に減少するだけでオン電流は変わらない,2)酸系,アルカリ系,H₂O₂系,有機系エッチ液のうちでH₂O₂系エッチ液が最もエッチ速度が大きい,3)RCA洗浄液のH₂O₂濃度はSiの場合の1/1000にすべきである,4)Ge/ゲート誘電体界面の不動態化層として歪みSi層を使う場合,その最適膜厚は約6原子層である,5)短チャネル効果制御のためのハロー拡散にはPよりもAsのほうが適している,6)Si p⁺/n接合よりもGe p⁺/n接合のほうが漏れ電流密度が大きい,7)ゲルマナイドとしてNiGeが抵抗率および熱安定性の点から最も有望である,8)界面準位密度低減と素子性能向上には最終工程での水素アニールが必須である。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲルマニウム ,  転位密度 ,  エッチング ,  化学洗浄 ,  不動態皮膜 ,  ドーパント ,  焼なまし ,  水素 ,  漏れ電流 ,  エッチング液 ,  加工速度 ,  *電流電圧特性 ,  *半導体プロセス ,  ゲルマニウム化合物 ,  ニッケル化合物 ,  PN接合 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： エッチング速度

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルマニウム ,  MOSFET ,  理解 ,  プロセス ,  開発 ,  電気性能