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J-GLOBAL ID：200902267765618345   整理番号：08A0781332

SiO₂/Si界面でのヒ素の分布と偏析

Distribution and segregation of arsenic at the SiO₂/Si interface

著者 (11件)： STEEN C. (Chair of Electron Devices, Univ. of Erlangen-Nuremberg, Cauerstrasse 6, 91058 Erlangen, DEU) ,  MARTINEZ-LIMIA A. (Fraunhofer Inst. of Integrated Systems and Device Technol., Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  PICHLER P. (Chair of Electron Devices, Univ. of Erlangen-Nuremberg, Cauerstrasse 6, 91058 Erlangen, DEU) ,  RYSSEL H. (Chair of Electron Devices, Univ. of Erlangen-Nuremberg, Cauerstrasse 6, 91058 Erlangen, DEU) ,  PAUL S. (Mattson Thermal Products GmbH, Daimlerstrasse 10, 89160 Dornstadt, DEU) ,  LERCH W. (Mattson Thermal Products GmbH, Daimlerstrasse 10, 89160 Dornstadt, DEU) ,  PEI L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7916, USA and) ,  DUSCHER G. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7916, USA and) ,  SEVERAC F. (LAAS-CNRS, Univ. of Toulouse, 7, avenue du Colonel Roche, 31077, Toulouse, FRA) ,  CRISTIANO F. (LAAS-CNRS, Univ. of Toulouse, 7, avenue du Colonel Roche, 31077, Toulouse, FRA) ,  WINDL W. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Ohio State Univ., 2041 Coll. Road, Columbus, Ohio 43210-1178, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 2  ページ： 023518  発行年： 2008年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 定常状態のSiO₂/Si界面でのヒ素のパイルアップと偏析をX線蛍光分光(GI-XRF)測定,電気的測定,ナノメータスケールのエッチング,干渉計測定によるステップ高さの測定を組み合わせて詳細に調べた。GI-XRF測定と感度の高いエッチング過程による高ドープ偏析層の除去を使い,3×10¹²から1×10¹⁶cm^-2への広いイオン注入領域にわたりバルク中のパイルアップ原子とヒ素原子間を明確に区別することができる。試料は900°Cから1200°Cの異なった温度で偏析が平衡状態を充分反映できる時間熱処理された。ライン-スペース構造でのステップ高さ測定で,パイルアップヒ素を伴う層厚と偏析プロフィルの形状を測定した。偏析ヒ素原子は高シート濃度でも最終的に全部活性化する深いドナーである事が電気的測定で判った。正に帯電した置換ヒ素原子と自由電子を伴った偏析層中の中性ヒ素原子の定常状態として測定データをモデル化できる。最高濃度に対して,偏析ヒ素原子のシート濃度飽和が電気的活性度の増加と相関する事を観測した。プロセスシミュレーションプログラム使用に対し,3個の相の偏析モデルを採用し,校正した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *界面 ,  *ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  *二酸化ケイ素 ,  イオン注入 ,  *ヒ素 ,  濃度分布 ,  *偏析 ,  熱処理 ,  不純物準位 ,  平衡状態
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  ドナー準位 ,  *固固界面

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  Si ,  界面 ,  ヒ素 ,  分布 ,  偏析